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MJD44H11G中文资料

MJD44H11G图片

MJD44H11G外观图

  • 大小：89.15KB
  • 厂家：ONSEMI [ON Semiconductor]
  • 描述：SILICON POWER TRANSISTORS
  • 标准包装：75
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：8A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：80V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 400mA，8A
  • 电流 - 集电极截止（最大）：1µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：40 @ 4A，1V
  • 功率 - 最大：1.75W
  • 频率 - 转换：85MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装：DPAK-3
  • 包装：管件
  • 其它名称：MJD44H11G-NDMJD44H11GOS

MJD44H11G供应商

更新时间:2023-01-02 01:01:42
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